ISSN 1991-2927
 

АПУ № 1 (55) 2019

Автор: "Куликов Александр Александрович"

УДК 621.382.029

Сергеев Вячеслав Андреевич, Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, доктор технических наук, профессор, окончил физический факультет Горьковского государственного университета им. Н.И. Лобачевского. Директор Ульяновского филиала Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, заведующий кафедрой «Радиотехника, опто- и наноэлектроника» Ульяновского государственного технического университета. Имеет монографии, статьи и изобретения в области исследования характеристик полупроводниковых приборов и интегральных схем, измерения их тепловых параметров. [e-mail: sva@ulstu.ru]В.А. Сергеев,

Тарасов Руслан Геннадьевич, АО «НПП «Завод Искра», окончил Ульяновское высшее военное инженерное училище связи, директор АО «НПП «Завод Искра», соискатель кафедры «Радиотехника, опто- и наноэлектроника» УлГТУ. Имеет публикации в области разработки методов и средств контроля качества изделий радиоэлектроники. [e-mail: rgtarasov@mail.ru]Р.Г. Тарасов,

Куликов Александр Александрович, Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, окончил радиотехнический факультет УлГТУ. Ведущий инженер УФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, аспирант базовой кафедры «Радиотехника, опто- и наноэлектроника» УлГТУ. Имеет публикации в области разработки автоматизированных средств измерения пара- метров полупроводниковых приборов. [e-mail: ufire@mv.ru]А.А. Куликов

Диагностика качества выходных усилителей мощности приемо-передающих модулей АФАР по температурным полям55_14.pdf

Кратко рассмотрена структурная схема приемо-передающих модулей (ППМ) активных фазированных антенных решеток (АФАР) Х-диапазона и показано, что качество ППМ во многом определяется качеством сборки наиболее ответственного узла - субмодулей выходных усилителей мощности (ВУМ) с двумя параллельно включенными монолитными интегральными схемами (МИС) сверхвысокочастотных (СВЧ) усилителей. Приведена структура и описана работа измерительного стенда для контроля основных электрических и энергетических параметров ВУМ, а также температурных полей печатных плат субмодулей ВУМ с помощью инфракрасного (ИК) микроскопа OptoTherm. Выборочные распределения субмодулей ВУМ по энергетическим параметрам показали, что качество ВУМ определяется в значительной степени качеством СВЧ-трактов и качеством сборки. При исследовании с помощью ИК-микроскопа температурных полей печатных плат субмодулей ВУМ, не прошедших выходной контроль по выходной мощности, при работе ВУМ в номинальных и более жестких по рассеиваемой мощности режимах установлено, что до 75% дефектов сборки и пассивных цепей субмодулей ВУМ проявляются в локальных перегревах элементов субмодулей. В частности, наблюдается сильная (с коэффициентом ~ 0,8) отрицательная корреляционная связь между уровнем выходной мощности и температурой перегрева балансного резистора в выходном сумматоре мощности. Детальный анализ причин локальных перегревов элементов ВУМ показал, что до 40% выявленных дефектов можно устранить путем корректировки монтажа. Остальные 60% дефектов субмодулей ВУМ, вероятно, определяются качеством самих элементов.

Приемо-передающие модули афар, субмодуль выходного усилителя мощности, измерительный стенд, выходная мощность, температурные поля, диагностика, дефекты.

2019_ 1

Рубрика: Электротехника и электронные устройства

Тематика: Электротехника и электронные устройства.



УДК 681.518.3

Сергеев Вячеслав Андреевич, Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, доктор технических наук, доцент, окончил физический факультет Горьковского государственного университета им. Н.И. Лобачевского. Директор Ульяновского филиала Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, заведующий базовой кафедрой «Радиотехника, опто- и наноэлектроника» Ульяновского государственного технического университета. Имеет монографии, статьи и изобретения в области исследования характеристик полупроводниковых приборов и интегральных схем, измерения их тепловых параметров. [e-mail: sva@ulstu.ru]В.А. Сергеев,

Куликов Александр Александрович, Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, окончил радиотехнический факультет УлГТУ. Ведущий инженер УФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, аспирант базовой кафедры «Радиотехника, опто- и наноэлектроника» УлГТУ. Имеет публикации в области разработки автоматизированных средств измерения параметров полупроводниковых приборов. [e-mail: ufire@mv.ru]А.А. Куликов,

Тарасов Руслан Геннадьевич, АО «НПП «Завод Искра», окончил Ульяновское высшее военное инженерное училище связи. Директор АО «НПП «Завод Искра», соискатель базовой кафедры «Радиотехника, опто- и наноэлектроника» УлГТУ. Имеет публикации в области разработки методов и средств измерения параметров и контроля качества изделий радиоэлектроники. [e-mail: rgtarasov@mail.ru]Р.Г. Тарасов,

Тетенькин Ярослав Геннадьевич, Ульяновское конструкторское бюро приборостроения, кандидат технических наук, окончил радиотехнический факультет УлГТУ. Введущий инженер Ульяновского конструкторского бюро приборостроения. Имеет научные публикации и изобретения в области автоматизации измерений и исследования характеристик полупроводниковых приборов и интегральных схем, измерения их тепловых параметров. [e-mail: a732041@yandex.ru]Я.Г. Тетенькин

Установка для измерения напряжения шнурования тока в структурах мощных вч- и свч-транзисторов000_13.pdf

Представлен краткий обзор известных способов и средств измерения напряжения шнурования тока в структурах мощных ВЧ- и сВЧ-биполярных и гетеробиполярных транзисторов (Мбт) в активном режиме включения. Показано, что для приборов, работающих в квазинепрерывном режиме, эффективными являются способы, основанные на измерении крутизны зависимости U ЭБ )напряжения на эмиттерном переходе от коллекторного напряжения. ( U КБ Описана установка для измерения напряжения шнурования тока в Мбт, принцип работы которой основан на измерении амплитуды переменной составляющей напряжения Ũ Э Б на эмиттерном переходе Мбт при пропускании через транзистор постоянного эмиттерного тока и подаче на коллектор суммы линейно нарастающего и малого переменного напряжения. шнурование тока в транзисторной структуре проявляется в резком возрастании крутизны зависимости Ũ Э Б ). Описан алгоритм косвенного определения напряжения локализации тока в транзисторной ( U КБ структуре по измеренным значениям на начальном участке указанных зависимостей без попадания контролируемого Мбт в режим «горячего пятна».

Мощные вч- и свч-транзисторы, теплоэлектрическая неустойчивость, напряжение шнурования тока, установка, измерение.

2017_ 3

Рубрика: Электротехника и электронные устройства

Тематика: Электротехника и электронные устройства, Математическое моделирование.


© ФНПЦ АО "НПО "Марс", 2009-2018 Работает на Joomla!