ISSN 1991-2927
 

АПУ № 4 (54) 2018

Автор: "Тарасов Руслан Геннадьевич"

УДК 621.382.017.7

Сергеев Вячеслав Андреевич, Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, доктор технических наук, доцент, окончил физический факультет Горьковского государственного университета им. Н.И. Лобачевского. Директор Ульяновского филиала Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, заведующий базовой кафедрой «Радиотехника, опто- и наноэлектроника» Ульяновского государственного технического университета. Имеет монографии, статьи и изобретения в области исследования характеристик полупроводниковых приборов и интегральных схем, измерения их тепловых параметров. [e-mail: sva@ulstu.ru]В.А. Сергеев,

Смирнов Виталий Иванович, Ульяновский государственный технический университет, доктор технических наук, профессор, окончил Горьковский государственный университет по специальности «Физика», профессор кафедры «Проектирование и технология электронных средств» УлГТУ. Имеет статьи, монографии, изобретения в области автоматизации средств измерений. [e-mail: smirnov-vi@mail.ru]В.И. Смирнов,

Тарасов Руслан Геннадьевич, АО «НПП «Завод Искра», окончил Ульяновское высшее военное инженерное училище связи, директор АО «НПП «Завод Искра», соискатель базовой кафедры «Радиотехника, опто- и наноэлектроника» УлГТУ. Имеет публикации в области разработки методов и средств измерения параметров и контроля качества изделий радиоэлектроники. [e-mail: rgtarasov@mail.ru]Р.Г. Тарасов

Проблемы и возможности диагностики качества электронных модулей по тепловым характеристикам50_14.pdf

Представлен краткий обзор методов и средств диагностики качества радиоэлектронных средств (РЭС). Применительно к электронным модулям (ЭМ) РЭС с полупроводниковыми активными элементами показана эффективность средств тепловой диагностики. Рассмотрены основные причины и механизмы, определяющие существенно нелинейный характер тепловых моделей ЭМ и требующие учета при тепловом проектировании современных РЭС и при разработке методов и средств диагностики их качества. Приведена классификация тепловых моделей ЭМ, в том числе и по характеру нелинейности. Для оценки качества ЭМ предложено использовать матрицу тепловых параметров распределенной тепловой модели ЭМ. Обсуждаются возможности определения параметров указанной матрицы по переходным тепловым характеристикам активных элементов ЭМ при подаче на него ступеньки греющей мощности и по амплитуде переменной составляющей температуры элементов при модуляции рассеиваемой элементами мощности по гармоническому закону. Приведена методика определения параметров тепловой модели двухэлементного ЭМ с симметричным включением элементов на примере субмодуля выходного усилителя мощности активной фазированной антенной решетки без учета тепловых связей между элементами.

Электронный модуль, диагностика качества, нелинейная тепловая модель, матрица тепловых параметров, измерение, переходная тепловая характеристика, модуляция греющей мощности.

2017_ 4

Рубрика: Электротехника и электронные устройства

Тематика: Электротехника и электронные устройства.


УДК 681.518.3

Сергеев Вячеслав Андреевич, Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, доктор технических наук, доцент, окончил физический факультет Горьковского государственного университета им. Н.И. Лобачевского. Директор Ульяновского филиала Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, заведующий базовой кафедрой «Радиотехника, опто- и наноэлектроника» Ульяновского государственного технического университета. Имеет монографии, статьи и изобретения в области исследования характеристик полупроводниковых приборов и интегральных схем, измерения их тепловых параметров. [e-mail: sva@ulstu.ru]В.А. Сергеев,

Куликов Александр Александрович, Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, окончил радиотехнический факультет УлГТУ. Ведущий инженер УФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, аспирант базовой кафедры «Радиотехника, опто- и наноэлектроника» УлГТУ. Имеет публикации в области разработки автоматизированных средств измерения параметров полупроводниковых приборов. [e-mail: ufire@mv.ru]А.А. Куликов,

Тарасов Руслан Геннадьевич, АО «НПП «Завод Искра», окончил Ульяновское высшее военное инженерное училище связи. Директор АО «НПП «Завод Искра», соискатель базовой кафедры «Радиотехника, опто- и наноэлектроника» УлГТУ. Имеет публикации в области разработки методов и средств измерения параметров и контроля качества изделий радиоэлектроники. [e-mail: rgtarasov@mail.ru]Р.Г. Тарасов,

Тетенькин Ярослав Геннадьевич, Ульяновское конструкторское бюро приборостроения, кандидат технических наук, окончил радиотехнический факультет УлГТУ. Введущий инженер Ульяновского конструкторского бюро приборостроения. Имеет научные публикации и изобретения в области автоматизации измерений и исследования характеристик полупроводниковых приборов и интегральных схем, измерения их тепловых параметров. [e-mail: a732041@yandex.ru]Я.Г. Тетенькин

Установка для измерения напряжения шнурования тока в структурах мощных вч- и свч-транзисторов000_13.pdf

Представлен краткий обзор известных способов и средств измерения напряжения шнурования тока в структурах мощных ВЧ- и сВЧ-биполярных и гетеробиполярных транзисторов (Мбт) в активном режиме включения. Показано, что для приборов, работающих в квазинепрерывном режиме, эффективными являются способы, основанные на измерении крутизны зависимости U ЭБ )напряжения на эмиттерном переходе от коллекторного напряжения. ( U КБ Описана установка для измерения напряжения шнурования тока в Мбт, принцип работы которой основан на измерении амплитуды переменной составляющей напряжения Ũ Э Б на эмиттерном переходе Мбт при пропускании через транзистор постоянного эмиттерного тока и подаче на коллектор суммы линейно нарастающего и малого переменного напряжения. шнурование тока в транзисторной структуре проявляется в резком возрастании крутизны зависимости Ũ Э Б ). Описан алгоритм косвенного определения напряжения локализации тока в транзисторной ( U КБ структуре по измеренным значениям на начальном участке указанных зависимостей без попадания контролируемого Мбт в режим «горячего пятна».

Мощные вч- и свч-транзисторы, теплоэлектрическая неустойчивость, напряжение шнурования тока, установка, измерение.

2017_ 3

Рубрика: Электротехника и электронные устройства

Тематика: Электротехника и электронные устройства, Математическое моделирование.


© ФНПЦ АО "НПО "Марс", 2009-2018 Работает на Joomla!